洞见磁存储技术前沿

持续追踪MRAM技术演进与产业动态，分享极渺科技的研究成果与实践经验，构建技术交流的专业阵地。 

技术白皮书

《MRAM晶圆级测试技术路线图》 [下载]

系统梳理STT/SOT/VCMA-MRAM的测试挑战与技术路径，提出面向3nm节点的测试能力演进建议。涵盖：

• 磁电特性高精度提取方法论

• 量产测试的吞吐量优化策略

• 新兴存算架构的测试新需求

《国产MRAM设备产业发展报告》 [下载]

基于产业链调研，分析全球MRAM设备竞争格局，探讨本土化突破的关键瓶颈与合作机遇。

应用笔记

AN-001: 如何优化STT-MRAM的写入裕量测试 [阅读]

详解写入错误率（WER）测试的统计方法与常见陷阱，提供从单bit到阵列级测试的实操指南。

AN-002: SOT-MRAM三端器件的直流与脉冲协同表征 [阅读]

针对SOT-MRAM独特的分离读写路径，介绍端电阻精确测量与自旋轨道矩效率提取的技术要点。

AN-003: MRAM在AI推理加速中的可靠性考量 [阅读]

探讨存内计算场景下MRAM的耐久性、读写干扰与温度敏感性测试方法。

视频教程

极渺测试平台操作指南系列

• Ep.1: 晶圆装载与自动对准流程

• Ep.2: 测试程序配置与参数优化

• Ep.3: 数据分析与报告生成

技术讲座回放

• "Beyond SRAM: 嵌入式MRAM的测试挑战与解决方案" — 半导体设备年会特邀报告

• "皮秒脉冲下的磁性动力学：测试设备的角色" — 磁学会议专题

行业洞察

博客文章

• [观点] 为什么MRAM测试不能简单复用Flash测试设备？

• [观察] 从ISSCC 2024看MRAM技术趋势：密度、速度与能耗的新平衡

• [解读] 美国出口管制新规对MRAM设备供应链的影响分析

标准与规范

极渺科技参与制定：

• 《磁性随机存储器（MRAM）晶圆级测试方法》团体标准（在研）

• 《存算一体芯片测试规范》征求意见稿

常用参考标准：

• JEDEC JESD218: Solid-State Drive Requirements and Endurance Test Method

• AEC-Q100: Failure Mechanism Based Stress Test Qualification for Integrated Circuits

活动与社区

即将举办

• 2024 MRAM测试技术研讨会（上海，4月） [报名]

• Webinar: 存算一体时代对存储测试的新需求 [预约]

技术社区

• GitHub开源项目：MRAM测试数据分析工具包 [访问]

• 技术问答论坛：与极渺工程师直接交流 [加入]