支持科研团队突破SOT-MRAM高速写入技术
发布时间:2026-02-04    浏览:

客户背景

中科院某研究所,承担国家存算一体重大项目,需验证三端SOT-MRAM器件的亚纳秒写入特性。

挑战

• 需要100ps级窄脉冲的精准施加与高速采样

• 器件良率低,需高灵敏度误码检测能力

• 多维参数空间(电流/磁场/脉宽)的系统扫描

极渺方案

定制开发超高速脉冲测试模块,集成误码率实时统计与三维参数可视化分析功能。

成果

• 成功捕获写入错误率与脉宽的S型曲线

• 确定最优写入条件,写入能耗降低40%

• 相关成果发表于Nature Electronics

18356065789@139.com
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