光刻

光刻工艺是半导体器件制备流程里的关键环节,通过曝光与显影在光刻胶表面形成对应的图形结构,再借助刻蚀工序,将掩模版上的图案精准转移到衬底材料之上。此处的衬底不局限于硅片,还可涵盖各类金属层、介质层。已掌握多项光刻相关技术。

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镀膜

镀膜作为一类应用广泛的表面处理技术,通常在真空条件下,将金属或非金属材料以气相形式沉积在基体表面,从而形成一层致密均匀的薄膜层。在半导体器件制备过程中,镀膜质量直接影响器件最终性能与功能实现。我们具备多种成熟镀膜工艺与技术储备。

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刻蚀

刻蚀是借助化学或物理手段,有选择性地去除硅片表面多余材料的工艺过程,也是利用溶液、反应离子及其他物理方式剥离、清除材料的一类技术总称。刻蚀技术主要分为干法刻蚀与湿法刻蚀两大类:干法刻蚀以反应气体与等离子体为主要手段实现刻蚀;湿法刻蚀则通过化学试剂与待刻材料发生化学反应达到去除目的。我们拥有多项先进刻蚀技术。

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